静电和静电放电(ESD)在我们的日常生活中无处不在，尤其是当手持电子设备向轻薄小巧方向发展而且产品功能不断增加时，它们的输入/输出端口也随之增多，导致静电放电进入系统并干扰或损坏集成电路。半导体材料器件对于生产、组装和维修等过程环境的静电控制要求越来越高。而静电放电对器件可靠性的危害变得越来越显著。为帮助大家深入了解，以下内容由创芯检测网整理，提供给您参考。
_20220720144728_695.jpg "ESD失效的形式 对电子元器件的破坏有哪些？")
一、ESD对电子器件侵害方式如下所示
1)静电源直接对电子器件放电
ESD事件常常发生在带电导体（包括人体）对ESDS的放电过程中。一般的静电危害是人体或带电导体直接对ESDS放电造成。
2)带电器件对其他导体的静电放电
当静电放电敏感器件在操作过程中，或者与包装材料、机器表面接触后，就会积累静电荷。当器件在包装盒移动或震动时就会发生静电放电。这种放电情况，涉及的电容和能量不同于人体对ESDS器件的放电情况。在某些情况下，CDM事件比HBN事件所造成的危害更大。
3)电场感应放电
感应场可以直接或间接对地造成危害。因为任何带电体周围都存在静电场。如果ESDS器件进入静电场范围，就会因为感应而带电。如果器件在电场区域内接地，电荷转移到地的过程称为CDM事件。
二、ESD静电损伤的两种失效形式
1)硬损伤：又称“突发性完全失效”、“一次性损坏”，约占10%。表现为器件电参数突然劣化，失去原有功能。主要原因是静电放电造成过压使得介质被击穿，或过流使得内部电路金属导线熔断、硅片局部融化等。硬损伤可通过常规的性能测试手段及时发现，相对软失效而言危害要小得多。
2)软损伤：又称“潜在性缓慢失效”、“多次损伤累积后失效”，约占90%。受到软损伤的器件，虽然当时各类电参数仍合格，然而其使用寿命却大大缩短了。含有这些器件的产品或系统，可靠性变差，可能会在后续过程中（直至最终用户）继续遭受ESD软损伤或其它过应力损伤积累而过早地失效。由于软损伤是潜在的，运用目前的技术还很难证明或检测出来，特别是器件被装入整机产品之后，因此具有更大的危害性。这些产品流入市场后的维护成本和造成的其它损失，将比在生产中发生的直接损失要放大几十甚至上百倍！多数未采取保护措施的元器件静电放电敏感度都是很低，很多在几百伏的范围，如MOS单管在100-200V之间，而且这些单管是不能增加保护电路的；一些电路尤其是CMOS 。
IC采取了静电保护设计，虽然明显的提高抗ESD水平，但大多数也只能达到2000－4000V，而在实际环境中产生的静电电压则可能达到上万伏。因此，没有防护的元器件很容易受到静电损伤。随着元器件尺寸的越来减小，这种损伤就会越来越多。所以，绝大多数元器件是静电敏感器件，需要在制造、运输和使用过程中采取防静电保护措施。
