相信从事电子业的朋友都听说过所谓的“美军标”，没错，它的原名叫做《微电子器件试验方法和程序》（MIL-STD-883），从1968年问世以来，美军标不断发展和完善，被公认为全球微电子器件质量监管的领先体系。
美军标囊括了一系列试验方法，涉及微电子器件的来料检验和控制、设计检验和控制、工艺检验和控制、筛选、鉴定和质量一致性检验等各个方面。该标准最早应用于军用器件，但由于其测试内容全面细致，并紧密贴合微电子器件的实际应用，后来也被民用领域采纳。不仅如此，世界各国高可靠微电子器件的试验标准无不以美军标为蓝本，例如我国的GJB548A-96就是以1991年MIL-STD-883的D版为蓝本所制定。
背景信息介绍了这么多，那么美军标实际用于测试的流程是怎样的呢？我们将以客户提供的一枚SN74LVC1G08DBVR为实例，给大家分享下美军标测试的流程。
通过查阅官网规格书可知，SN74LVC1G08DBVR属于单路双输入正与门芯片，工作电压范围在1.65V至5.5V。
一般的逻辑门芯片，主要参数为输入高/低电平电流、输入高/低电平电压，输出高/低电平电压、电源电流以及相关的时间参数等。美军标最新版本MIL-STD-883L中对以上部分参数测试方法都有说明，但由于篇幅有限，今天我们主要分享输出高/低电压参数的测试方法。
美军标MIL-STD-883L METHOD 3006.1输出高电平电压参数测试方法如下：
以上内容可概括如下：
1. 说明建立此标准的目的及可适用微电子元器件的类型。
2. 测试设备及试验温度适应性要求。
3. 测试过程应在最坏的条件（最坏情况的电源电压和最坏情况的输入水平）下进行测试。
4. 报告内容应包含测试温度、输入/输出电流、电源电压、输入电压、输出电压最小/最大值等。
综上可知，美军标对输出高电平电压参数的测试方法仅对测试设备及测试条件作出适应性要求，并要求在极限条件下测试。至于具体的测试条件，还要参照元器件规格书的要求。
搭建如下测试电路：
测试步骤：
1. 将被测集成电路（芯片）按规定接到测试电路中。
2. 对测试电路施加最极限的电源电压和输入电压（包括保证的噪声容限）。
3. 强制电流（等于电路最坏情况下的高电平扇出）施加到测试电路输出端子。
4. 温度调整到规定值,并在测试前后立即检査。
5. 测试输出端电压。
备注：每次输入条件确定后，进行输出测量。
从官网提供的规格书可知，输出高电平电压（VOH）参数在不同的电源条件、电流条件及温度条件下的参数要求范围是不一样的。现在用功能测试机台TR6850在常温（25℃）下测试当电源电压为某一值，按规格书要求在输入端（A端和B端）施加极限值电压信号，并在输出端（Y端）施加对应的电流值，测试其输出高电平电压（VOH）是否符合规格书要求。
规格书参数要求如下：
按照规格书要求设定测试条件；
-VOH = 1.55V Min @ VCC = 1.65V, IOH = -100μA, VIH(A&B) = 1.0725V
-VOH = 5.40V Min @ VCC = 5.5V, IOH = -100μA, VIH(A&B) = 3.85V
-VOH =1.2V Min @ VCC = 1.65V, IOH = -4mA, VIH(A&B) = 1.0725V
-VOH = 1.9V Min @ VCC = 2.3V, IOH = -8mA, VIH(A&B) = 1.7V
-VOH = 2.4V Min @ VCC = 3V, IOH = -16mA, VIH(A&B) = 2V
-VOH = 2.3V Min @ VCC = 3V, IOH = -24mA, VIH(A&B) = 2V
-VOH = 3.8V Min @ VCC = 4.5V, IOH = -32mA, VIH(A&B) = 3.15V
编写测试程序，完成调试，测试界面如下：
测试结果如下：
从测试结果图片可以看到，输出高电平电压（VOH）均符合规格书要求，因此这枚SN74LVC1G08DBVR的VOH在美军标测试之下属于合格。
分享到这里相信大家对如何用美军标测试芯片功能参数已经有了初步的了解，那么输出低电平电压（VOL）又该如何测试？其实测试方法跟输出高电平电压（VOH）大同小异，在这里也就不占用篇幅过多叙述，对此感兴趣的小伙伴可以关注创芯检测公众号，我们还将分享更多元器件测试的案例。
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