全国热线

4008-655-800
失效分析(Failure analysis )

 描述:通过专业失效分析设备,借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象,分辨其失效模式和失效机理,确认最终的失效原因,并提出改进设计和制造工艺的建议,防止失效的重复出现。


应用范围:所有失效器件原因分析。


应用失效分析图片:

 

失效分析

 

    失效分析基本概念

 

    1.进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。

 

    2.失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。

 

    3.失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。

 

    4.失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。

 

    失效分析的意义

 

    1.失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。

 

    2.失效分析为有效的故障诊断提供了必要的信息。

 

    3.失效分析为设计工程师不断改进或者修复芯片的设计,使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。

 

    4.失效分析可以评估不同测试向量的有效性,为生产测试提供必要的补充,为验证测试流程优化提供必要的信息基础。

 

    失效分析主要步骤和内容

 

    芯片开封:

 

    去除IC封胶,同时保持芯片功能的完整无损,保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受损伤,为下一步芯片失效分析实验做准备。

 

    SEM扫描电镜/EDX成分分析:

 

    包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。探针测试:以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。

 

    镭射切割:

 

    以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。

 

    EMMI侦测:

 

    EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具,提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式,可侦测和定位非常微弱的发光(可见光及近红外光),由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。

 

    OBIRCH应用(镭射光束诱发阻抗值变化测试):

 

    OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析,线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等,也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。

 

    LG液晶热点侦测:

 

    利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组,在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像,找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域(超过10mA之故障点)。

 

    定点/非定点芯片研磨:

 

    移除植于液晶驱动芯片Pad上的金凸块,保持Pad完好无损,以利后续分析或rebonding。

 

    X-Ray无损侦测:

 

    检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。

 

    SAM(SAT)超声波探伤:

 

    可对IC封装内部结构进行非破坏性检测,有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如:o晶元面脱层,o锡球、晶元或填胶中的裂缝,o封装材料内部的气孔,o各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。