当半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰，形成额外的束缚状态，在禁带中产生额外的杂质能级。能够提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质，相应的能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底部。
杂质和缺陷影响半导体电气性能的机理是什么？施主和受主杂质可以提供载流子，提高电导率；非施主和受主杂质往往会产生复合中心，缩短非平衡载流子的使用寿命；缺陷通常是复合中心。各种杂质和缺陷可以散射载流子，降低迁移率和电导率。
其主要影响是精确控制自由电子和空穴数量。简而言之，杂质越多，物理材料中的自由电子和空穴的精确控制就越差，差异会导致物理指标下降：杂散电流随环境温度的升高而升高；PN结的耐压性和温度系数变差。
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IGBT半导体模块是电子制造中最常见的电子元器件之一。由IGBT和FWD通过特定电路桥接封装而成的低频高功率电子元器件，广泛应用于焊机、逆变器、变频器、点解电源、超音频感应加热等领域。那么如何保证后的IGBT半导体模块是好产品，保证有缺陷的IGBT半导体无法流通到下一道工序，从而提高生产成本和企业效率。IGBT半导体封装模块运行过程中，技术工艺复杂。然而，如何识别和测试封装已经成为企业最无奈的过程。市场竞争激烈，产品质量标准不断提高，成本控制需要更大的努力，这也是IGBT半导体封装行业亟待解决的问题。
目前的检测方法很多，但是越来越受市场青睐的当属X-RAY检测方法，它采用X光直接穿透产品表面，直接透视产品内部结构，通过对产品内部结构的分析，可以快速锁定缺陷位置和受损面积的大小。
X-RAY可以直观地观察IGBT半导体模块中是否存在气泡等缺陷，利用X射线透射原理对IGBT模块进行检测，检测快捷准确。当X-Ray检测设备透射IGBT模块时，可以直接观察IGBT模块中是否有气泡等缺陷，也可以直接观察缺陷的位置。利用x光对企业有事半功倍的效果。
