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缺陷对半导体电性能有什么影响?使用x-ray检测内部缺陷的优点

日期:2021-09-13 15:12:00 浏览量:470 标签: 性能检测 X-射线检测 电性能测试 X-Ray检测

当半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰,形成额外的束缚状态,在禁带中产生额外的杂质能级。能够提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质,相应的能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底部。

杂质和缺陷影响半导体电气性能的机理是什么?施主和受主杂质可以提供载流子,提高电导率;非施主和受主杂质往往会产生复合中心,缩短非平衡载流子的使用寿命;缺陷通常是复合中心。各种杂质和缺陷可以散射载流子,降低迁移率和电导率。

其主要影响是精确控制自由电子和空穴数量。简而言之,杂质越多,物理材料中的自由电子和空穴的精确控制就越差,差异会导致物理指标下降:杂散电流随环境温度的升高而升高;PN结的耐压性和温度系数变差。

缺陷对半导体电性能有什么影响?使用x-ray检测内部缺陷的优点

IGBT半导体模块是电子制造中最常见的电子元器件之一。由IGBT和FWD通过特定电路桥接封装而成的低频高功率电子元器件,广泛应用于焊机、逆变器、变频器、点解电源、超音频感应加热等领域。那么如何保证后的IGBT半导体模块是好产品,保证有缺陷的IGBT半导体无法流通到下一道工序,从而提高生产成本和企业效率。IGBT半导体封装模块运行过程中,技术工艺复杂。然而,如何识别和测试封装已经成为企业最无奈的过程。市场竞争激烈,产品质量标准不断提高,成本控制需要更大的努力,这也是IGBT半导体封装行业亟待解决的问题。

目前的检测方法很多,但是越来越受市场青睐的当属X-RAY检测方法,它采用X光直接穿透产品表面,直接透视产品内部结构,通过对产品内部结构的分析,可以快速锁定缺陷位置和受损面积的大小。

X-RAY可以直观地观察IGBT半导体模块中是否存在气泡等缺陷,利用X射线透射原理对IGBT模块进行检测,检测快捷准确。当X-Ray检测设备透射IGBT模块时,可以直接观察IGBT模块中是否有气泡等缺陷,也可以直接观察缺陷的位置。利用x光对企业有事半功倍的效果。

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