电特性检测报告:KSZ8873MLLI测试
日期：2021-08-19 13:05:27 浏览量：4186 作者：创芯在线检测中心
型号 ：KSZ8873MLLI
器件品牌 ：Microchip
器件封装 ：64-lead LQFP
样品数量 ：5 片
检测数量 ：5 片
收样日期 ：2021/08/11
测试日期 ：2021/08/16 13:30 - 2021/08/16 17:40
测试项目：
电特性测试、高低温试验
测试方法及测试设备
1.1 测试标准：
MIL-STD-883L-2019
GJB 128A-1997
1.2 恒温箱
设备规格: JW-2001
1.3 功能测试设备
半导体管特性图示仪 XJ4822：
用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并测量其静态参数，用于测量晶体管，二极管，MOSFET 和其他半导体器件。 最大集电极电压高达3KV（可选） 步进电压±10V +△VB ±5V，内部电阻低，特别适用于测试大功率VMOS器件。
1.4 检测环境
环境温度: 25±5℃
环境相对湿度: 45%-65%RH
1.5 检测依据
《Microchip KSZ8873MLL》: https://www.semiee.com/file/Microchip/Microchip-KSZ8873.pdf
电特性测试：
高低温试验：
测试步骤：
1、常温测试电特性是否合格；
2、150 度高温持续一小时，取出后测试电特性是否合格；
3、-55 度低温放置一小时，取出后测试电特性是否合格；
1.芯片描述
高级开关功能 综合配置寄存器 支持优先 QoS/CoS 数据包 每个端口，802.1p 和基于 DiffServ 经过验证的集成 3 端口 10/100 以太网交换机 开关监测功能 低功耗
2.封装尺寸
3.来料信息
4.高低温试验
测试步骤：
1、常温测试电特性是否合格；
2、150 度高温持续一小时，取出后测试电特性是否合格；
3、-55 度低温持续一小时，取出后测试电特性是否合格；
高低温试验程序设定如下：
5.电特性测试
依据标准：GJB 128A-1997
使用半导体管特性图示仪验证芯片管脚电特性曲线，通过开路/短路测试检查芯片是否损坏。
电特性测试结论：
