电特性检测报告:KSZ8873MLLI测试

日期：2021-08-19 13:05:27 浏览量：3721 作者：创芯在线检测中心

型号 ：KSZ8873MLLI

器件品牌 ：Microchip

器件封装 ：64-lead LQFP

样品数量 ：5 片 

检测数量 ：5 片 

收样日期 ：2021/08/11 

测试日期 ：2021/08/16 13:30 - 2021/08/16 17:40

测试项目：

电特性测试、高低温试验

测试方法及测试设备 

1.1 测试标准：

MIL-STD-883L-2019  

GJB 128A-1997 

1.2 恒温箱

设备规格: JW-2001 

1.3 功能测试设备

半导体管特性图示仪 XJ4822： 

用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并测量其静态参数，用于测量晶体管，二极管，MOSFET 和其他半导体器件。 最大集电极电压高达3KV（可选） 步进电压±10V +△VB ±5V，内部电阻低，特别适用于测试大功率VMOS器件。

1.4 检测环境

环境温度: 25±5℃ 

环境相对湿度: 45%-65%RH

1.5 检测依据

《Microchip KSZ8873MLL》: https://www.semiee.com/file/Microchip/Microchip-KSZ8873.pdf 

电特性测试：

高低温试验： 

测试步骤： 

1、常温测试电特性是否合格； 

2、150 度高温持续一小时，取出后测试电特性是否合格； 

3、-55 度低温放置一小时，取出后测试电特性是否合格；

1.芯片描述 

高级开关功能 综合配置寄存器 支持优先 QoS/CoS 数据包 每个端口，802.1p 和基于 DiffServ 经过验证的集成 3 端口 10/100 以太网交换机 开关监测功能 低功耗 

2.封装尺寸

3.来料信息

4.高低温试验

测试步骤： 

1、常温测试电特性是否合格；

2、150 度高温持续一小时，取出后测试电特性是否合格； 

3、-55 度低温持续一小时，取出后测试电特性是否合格； 

高低温试验程序设定如下：

5.电特性测试

依据标准：GJB 128A-1997

使用半导体管特性图示仪验证芯片管脚电特性曲线，通过开路/短路测试检查芯片是否损坏。

电特性测试结论：