集成电路 NCV57101DWR2G 失效分析报告
日期:2024-11-04 16:34:16 浏览量:850 作者:创芯在线检测中心
综上分析推测失效品因EOS/ESD导致die内部金属层和绝缘层区域出现击穿烧毁痕迹,从而引起短路失效。
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综上分析推测失效品因EOS/ESD导致die内部金属层和绝缘层区域出现击穿烧毁痕迹,从而引起短路失效。
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